[发明专利]无粘接剂及活性剂的铜铟镓硒和/或硫光吸收预制层制造方法无效
| 申请号： | 201010111497.6 | 申请日： | 2010-02-11 |
| 公开（公告）号： | CN101820031A | 公开（公告）日： | 2010-09-01 |
| 发明（设计）人： | 陈文仁;林群福 | 申请（专利权）人： | 昆山正富机械工业有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18 |
| 代理公司： | 北京中原华和知识产权代理有限责任公司 11019 | 代理人： | 寿宁;张华辉 |
| 地址： | 215332 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种铜铟镓硒和/或硫光吸收预制层的制造方法，特别是一种无粘接剂及活性剂的铜铟镓硒和/或硫光吸收预制层制造方法：(1)调配含IB、IIIA及VIA族元素的二成份、三成份或四成份，形成第一和第二混合粉末；(2)在第一混合粉末中添加VIA族元素粉末，成第三混合粉末；(3)将第二和第三混合粉末添加溶剂分别研磨成第一和第二浆料；(4、5)依序将第一浆料、第二浆料涂布在钼层上，形成第一铜铟镓硒和/或硫层和第二铜铟镓硒和/或硫层；(6)软烤形成铜铟镓硒和/或硫光吸收预制层。不使用界面活性剂避免残留碳和氧而降低太阳能电池效率。 | ||
| 搜索关键词： | 无粘接剂 活性剂 铜铟镓硒 光吸收 预制 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种无粘接剂及活性剂的铜铟镓硒和/或硫光吸收预制层制造方法，用以在非真空下在钼层上形成均匀光吸收预制层，该方法包括：(1)依据配方比例，调配含IB、IIIA及VIA族元素的二成份、三成份或四成份粉末以形成第一和第二含铜铟镓硒和/或硫混合粉末；(2)将第一含铜铟镓硒和/或硫混合粉末以原始VIA元素比例，再添加额外VIA族元素粉末至该原始混合粉末中，并进行混合以形成第三含铜铟镓硒和/或硫混合粉末；(3)将第二和第三含铜铟镓硒和/或硫混合粉末添加易挥发溶剂以纳米研磨机分别研磨成第一和第二铜铟镓硒和/或硫浆料；(4)将第一铜铟镓硒和/或硫浆料涂布在钼层上，形成第一铜铟镓硒和/或硫层；(5)将第二铜铟镓硒和/或硫浆料涂布在第一铜铟镓硒和/或硫层上形成第二铜铟镓硒和/或硫层；(6)软烤使溶剂挥发形成铜铟镓硒和/或硫光吸收预制层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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