[发明专利]一种低温下原位合成片状硫化银纳米晶光电薄膜的化学方法

摘要

一种低温下原位合成片状硫化银纳米晶光电薄膜的化学方法。该方法先将硫粉加入到容器中，然后加入有机溶剂，有机溶剂的体积大于容器容积的1/2，再将具有洁净金属银表面的基底材料倾斜或水平置于容器底部，避免与硫粉直接接触。把其基底材料和硫粉沉浸于溶剂液面之下，在20～60℃温度反应4～184小时，反应物中单质硫粉的浓度保持在饱和状态，即在具有洁净金属银表面的基底材料表面原位制得片状硫化银纳米晶组成的薄膜材料，产物用无水乙醇洗涤，室温干燥即可。获得具有洁净金属银表面基底材料的方法，是将具有金属银表面的基底材料置于无水乙醇中，用超声波清洗器清洗3分钟后浸泡于DMF或无水乙醇中待用。本方法低温、低能耗、方便快捷，便于工业化生产。

主权项

一种片状硫化银纳米晶组成的大面积薄膜材料的制备方法，其特征在于：首先将硫粉加入到容器中，然后加入有机溶剂N，N-二甲基甲酰胺、无水乙醇、异丙醇或正丁醇，有机溶剂的体积大于容器容积的一半，再将具有洁净金属银表面的基底材料倾斜或水平置于容器底部，并避免与硫粉直接接触，其具有洁净金属银表面的基底材料，单质硫粉，沉浸于有机溶剂液面之下，在20～60℃温度范围内反应4～184小时，反应物中单质硫粉的浓度保持在饱和状态，即在具有洁净金属银表面的基底材料表面原位制得片状结构硫化银纳米晶组成的大面积薄膜材料，产物用无水乙醇洗涤，室温干燥即可，其中所述的容器为玻璃瓶、聚四氟乙烯反应釜或其它耐所述的有机溶剂的容器。