[发明专利]一种二氧化铈多晶纳米带的制备方法无效

专利信息
申请号: 201010108041.4 申请日: 2010-02-10
公开(公告)号: CN101792170A 公开(公告)日: 2010-08-04
发明(设计)人: 董相廷;王进贤;樊继霜;刘桂霞;于文生 申请(专利权)人: 长春理工大学
主分类号: C01F17/00 分类号: C01F17/00;B82B3/00
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 130022 吉林*** 国省代码: 吉林;22
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摘要: 发明涉及二氧化铈多晶纳米带的制备方法,属于纳米材料制备技术领域。本发明包括三个步骤:(1)配制纺丝液,将Ce(NO3)3·6H2O和PVP溶于DMF中形成纺丝液;(2)采用静电纺丝技术制备PVP/Ce(NO3)3复合纳米带,其中电压为15~20kV,喷嘴口径为0.8mm,喷嘴与水平面的夹角为20°,固化距离为20~22cm,室内温度18~28℃,相对湿度为40%~60%;(3)制备CeO2多晶纳米带,将PVP/Ce(NO3)3复合纳米带在600~800℃下保温5~10h,之后自然冷却至室温即可得到CeO2多晶纳米带,宽度为3~5μm,厚度为65~120nm,长度大于500μm。
搜索关键词: 一种 氧化 多晶 纳米 制备 方法
【主权项】:
一种二氧化铈多晶纳米带的制备方法,其特征在于,采用静电纺丝技术,使用聚乙烯吡咯烷酮(PVP)为高分子模板剂,采用N,N-二甲基甲酰胺(DMF)为溶剂,制备产物为二氧化铈多晶纳米带,其步骤为:(1)配制纺丝液纺丝液中使用硝酸铈(Ce(NO3)3·6H2O)为铈源,高分子模板剂采用聚乙烯吡咯烷酮(PVP,分子量为90000),溶剂采用N,N-二甲基甲酰胺(DMF),将所述硝酸铈、高分子模板剂溶于溶剂中,于室温下磁力搅拌2~4h,并静置2~3h,即形成纺丝液,该纺丝液各组成部分的质量百分数为:硝酸铈含量8~10%,PVP含量15~20%,其余为溶剂DMF;(2)制备PVP/Ce(NO3)3复合纳米带采用静电纺丝技术,技术参数为:直流电压为15~20kV,喷嘴口径为0.8mm,喷嘴与水平面的夹角为20°,注射器针头喷嘴到接收屏的固化距离为20~22cm,室内温度18~28℃,相对湿度为40%~60%;(3)制备CeO2多晶纳米带将所获得的PVP/Ce(NO3)3复合纳米带进行热处理,技术参数为:升温速率为1~2℃/min,在600~800℃温度范围内保温5~10h,之后随炉体自然冷却至室温,得到CeO2多晶纳米带。
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