[发明专利]偏置电路及含它的跨导电容滤波器电路和半导体集成电路无效
| 申请号： | 201010105061.6 | 申请日： | 2010-01-22 |
| 公开（公告）号： | CN101958689A | 公开（公告）日： | 2011-01-26 |
| 发明（设计）人： | 岸川祯介 | 申请（专利权）人： | 索尼公司 |
| 主分类号： | H03F3/20 | 分类号： | H03F3/20;H03H7/01 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 王萍;陈炜 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明涉及偏置电路，包括：形成第一电流源的第一正沟道金属氧化物半导体晶体管；构成第一正沟道金属氧化物半导体晶体管的电流镜电路且形成第二电流源的第二正沟道金属氧化物半导体晶体管；第一负沟道金属氧化物半导体晶体管，其具有从第一电流源向该第一负沟道金属氧化物半导体晶体管的漏极供应电流的漏极；与第一负沟道金属氧化物半导体晶体管一起构成电流镜电路的第二负沟道金属氧化物半导体晶体管，其具有从第二电流源向该第二负沟道金属氧化物半导体晶体管的漏极供应电流的漏极；以及连接在第二负沟道金属氧化物半导体晶体管的源极和接地之间的电阻器；其中用于gm调节的阻抗部件连接在第一负沟道金属氧化物半导体晶体管的源极和接地之间。 | ||
| 搜索关键词： | 偏置 电路 导电 滤波器 半导体 集成电路 | ||
【主权项】：
一种偏置电路，包括：形成第一电流源的第一正沟道金属氧化物半导体晶体管；构成所述第一正沟道金属氧化物半导体晶体管的电流镜电路且形成第二电流源的第二正沟道金属氧化物半导体晶体管；第一负沟道金属氧化物半导体晶体管，其具有从所述第一电流源向该第一负沟道金属氧化物半导体晶体管的漏极供应电流的漏极；与所述第一负沟道金属氧化物半导体晶体管一起构成电流镜电路的第二负沟道金属氧化物半导体晶体，其具有从所述第二电流源向该第二负沟道金属氧化物半导体晶体的漏极供应电流的漏极；以及连接在所述第二负沟道金属氧化物半导体晶体管的源极和接地之间的电阻器；其中，用于跨导调节的阻抗部件连接在所述第一负沟道金属氧化物半导体晶体管的源极和接地之间。
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