[发明专利]一种带隙可调控的硅基异质结太阳电池

摘要

本发明涉及一种带隙可调控的硅基异质结太阳电池，结合了晶体硅与薄膜材料的特点，形成一种非晶硅碳/非晶硅/微晶硅/晶体硅太阳电池结构，有利于减弱非晶硅薄膜的光致衰减效应，提高太阳电池的稳定性；在不同种类或结构的半导体材料界面形成双异质结，充分利用二维电子气效应，有效提高了载流子产额；所形成的高低异质结电场有利于非平衡少数载流子的迁移，减少复合效应；利用不同带隙半导体材料组成的窗口效应，实现了材料对不同频率波段光的选择吸收，增加了入射光的总体有效利用，以提高太阳能电池的光电转换效率，推进光伏发电事业的发展。

主权项

一种带隙可调控的硅基异质结太阳电池，包括n型非晶硅碳薄膜层、n型非晶硅薄膜层、n型微晶硅薄膜层、晶体硅材料层，其特征在于，所述的n型非晶硅碳薄膜层、n型非晶硅薄膜层、n型微晶硅薄膜层、晶体硅材料层依序自上而下叠层结合；所述的n型非晶硅碳薄膜层、n型非晶硅薄膜层、n型微晶硅薄膜层掺杂浓度依次控制为n++、n+与n；所述的晶体硅材料层为p型硅基底或进行了n型掺杂扩散处理的p型硅基底；所述的n型非晶硅碳薄膜层与所述的n型非晶硅薄膜层之间形成一个异质结结构，所述的n型非晶硅薄膜层与所述的n型微晶硅薄膜层之间形成一个异质结结构；所述的n型非晶硅碳薄膜层上制有一层包括钝化膜和/或透明导电薄膜的上叠层；所述的上叠层上有受光面接触电极；所述的晶体硅材料层的下表面有背表面场；所述的背表面场下有背电极。