[发明专利]激光干涉技术辅助电化学技术制备纳米栅极的方法

摘要

本发明公开了一种基于激光干涉技术辅助电化学技术制备纳米栅极的方法，应用于太阳能电池、微/纳米光电子器件等领域。本发明包括如下步骤：a)在形成的p-n结衬底片表面或半导体衬底片表面旋涂光刻胶并烘干；b)然后经过双光束激光干涉技术曝光；c)经选择性溶液除去曝光的光刻胶，并经电化学技术沉积金属栅极；d)最后经选择性溶液移除未曝光的光刻胶，并进行热处理，获得亚微米/纳米金属栅极。本发明实现的亚微米/纳米栅极，具有大面积、高效、廉价、简便、可在大气环境下进行和可控性等优点，便于推广和商业化。

主权项

一种基于激光干涉技术辅助电化学技术制备纳米栅极的方法，其特征在于，该方法由如下步骤所组成：a)在半导体衬底片或表面旋涂光刻胶并烘干；b)然后经过双光束激光干涉技术曝光；c)经选择性溶液除去曝光的光刻胶，并经电化学技术沉积金属栅极；d)最后经选择性溶液移除未曝光的光刻胶，并进行热处理，获得亚微米/纳米金属栅极。