[发明专利]一种石墨烯薄膜的转移方法

摘要

一种石墨烯薄膜的转移方法，属于材料技术领域，涉及石墨烯半导体薄膜材料，尤其涉及将大面积无损伤石墨烯薄膜从制备基片表面转移至目标基片表面的方法。首先将有机胶体旋涂于石墨烯的表面并将其烘干，然后采用化学腐蚀液腐蚀掉原石墨烯薄膜的基片材料，再将石墨烯薄膜与有机胶体的结合体铺展在目标基片上，最后溶解掉有机胶体而完成石墨烯薄膜到目标基片上的转移。本发明提供的石墨烯薄膜的转移方法，可以方便地将大面积石墨烯薄膜转移至任意目标基片上，且不会产生较大的损伤。石墨烯薄膜转移面积可达数平方英寸，且工艺简单、操作方便、成本廉价，可与半导体工艺结合用于制备石墨烯半导体器件。

主权项

一种石墨烯薄膜的转移方法，包括以下步骤：步骤1：在石墨烯薄膜表面旋涂一层有机胶体；步骤2：将石墨烯薄膜表面旋涂的有机胶体层在50～100℃的温度条件下烘干；步骤3：将步骤2烘干后的石墨烯薄膜浸入腐蚀溶液中，浸入时使原基片层朝下，而有机胶体层向上；所述腐蚀溶液应选用对原基片具有腐蚀性能的溶液；步骤4：待原基片被腐蚀溶液腐蚀掉后，将悬浮在腐蚀溶液表面的石墨烯薄膜和有机胶体层的结合体转入去离子水中清洗，以去掉残留的腐蚀溶液；清洗时应保证有机胶体层朝上而石墨烯薄膜朝下；步骤5：将经步骤4清洗后的石墨烯薄膜和有机胶体层的结合体均匀铺展在目标基片上，使石墨烯薄膜与目标基片表面紧贴在一起，然后在60～100℃的温度条件下烘干；步骤6：采用去胶溶剂浸泡或蒸汽除去石墨烯薄膜表面的有机胶体层，得到转移至目标基片表面的石墨烯薄膜。