[发明专利]衬底处理系统,和衬底处理方法无效
| 申请号： | 201010000295.4 | 申请日： | 2010-01-08 |
| 公开（公告）号： | CN102122599A | 公开（公告）日： | 2011-07-13 |
| 发明（设计）人： | 郭信生;王开安 | 申请（专利权）人： | 郭信生;王开安 |
| 主分类号： | H01J37/32 | 分类号： | H01J37/32;C23C14/35 |
| 代理公司： | 北京君尚知识产权代理事务所(普通合伙) 11200 | 代理人： | 余长江 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明公开了一种衬底处理系统和衬底处理方法，属于材料沉积技术领域。本发明的衬底处理系统，包括将衬底纳入其中的处理室；处理室中的含有溅射表面的靶，其中将衬底设置为接收从溅射表面溅射的材料；放置于靶附近的磁控管，其中磁控管可在溅射表面上产生两个由距离S分隔的腐蚀槽，其中所述两个腐蚀槽的至少一个的特点在于腐蚀宽度为W；和可以以N步沿着第一方向的行进路径移动磁控管的第一运输装置，N是整数。所述磁控管可在N步中的每一步停止以从溅射表面溅射材料并沉积在衬底上。所述N步具有基本相同的步长。所述步长近似等于所述腐蚀宽度W。本发明可用于平板显示器制造，工业表面涂布，半导体晶片处理等广泛的应用领域。 | ||
| 搜索关键词： | 衬底 处理 系统 方法 | ||
【主权项】：
一种衬底处理系统，包括：设置为将衬底纳入其中的处理室；处理室中的含有溅射表面的靶，其中所述衬底设置为接收从溅射表面溅射的材料；放置于靶附近的磁控管，其中所述磁控管设置为在溅射表面上产生两个由距离S分隔的腐蚀槽，所述两个腐蚀槽的至少一个的特点在于腐蚀宽度W；和设置为以N步沿着第一方向的行进路径移动所述磁控管的第一运输装置，其中N是整数，所述磁控管设置为在所述N步中的每一步停止以从溅射表面溅射材料并沉积在衬底上，所述N步具有基本相同的步长，所述步长近似等于所述腐蚀宽度W。
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