[发明专利]带有层状构造的绝缘侧壁的功率半导体模块有效

专利信息
申请号: 200980157976.7 申请日: 2009-03-13
公开(公告)号: CN102349363A 公开(公告)日: 2012-02-08
发明(设计)人: M.比尔曼;C.布罗什;D.马里帕德;A.曾克纳 申请(专利权)人: 西门子公司
主分类号: H05K7/14 分类号: H05K7/14;H01L23/00;H01L23/10;H01L25/07;H05K7/20
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 11105 代理人: 任宇
地址: 德国*** 国省代码: 德国;DE
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摘要: 为了开关一种具有高防爆性能且能特别便宜地制造的功率半导体模块(1),该功率半导体模块带有至少两个相互连接的功率半导体单元(19,20)、模块壳体(2,3,13)和至少一个连接母线(9,10,11,12,21),其中,所述功率半导体单元具有可控的功率半导体,所述功率半导体单元(19,20)设置在所述模块壳体内并且所述模块壳体具有绝缘的侧壁(13),所述连接母线穿过所述侧壁(13)并且与至少一个所述功率半导体单元(19,20)连接,本发明建议,所述绝缘的侧壁(13)设计为绝缘并且一体构造的子元件(14,15,16)的堆叠,其中,所述子元件(14,15,16)以接触区域相互贴靠。
搜索关键词: 带有 层状 构造 绝缘 侧壁 功率 半导体 模块
【主权项】:
一种功率半导体模块(1),该功率半导体模块带有至少两个相互连接的功率半导体单元(19,20)、模块壳体(2,3,13)和至少一个连接母线(9,10,11,12,21),其中,所述功率半导体单元具有可控的功率半导体,所述半导体单元(19,20)设置在所述模块壳体内并且所述模块壳体具有绝缘的侧壁(13),所述连接母线穿过所述侧壁(13)并且与至少一个所述功率半导体单元(19,20)连接,其特征在于,所述绝缘的侧壁(13)设计为绝缘并且一体构造的子元件(14,15,16)的堆叠,其中,所述子元件(14)以接触区域相互贴靠。
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