[发明专利]带有层状构造的绝缘侧壁的功率半导体模块有效
| 申请号： | 200980157976.7 | 申请日： | 2009-03-13 |
| 公开（公告）号： | CN102349363A | 公开（公告）日： | 2012-02-08 |
| 发明（设计）人： | M.比尔曼;C.布罗什;D.马里帕德;A.曾克纳 | 申请（专利权）人： | 西门子公司 |
| 主分类号： | H05K7/14 | 分类号： | H05K7/14;H01L23/00;H01L23/10;H01L25/07;H05K7/20 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 任宇 |
| 地址： | 德国*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 带有 层状 构造 绝缘 侧壁 功率 半导体 模块 | ||
1.一种功率半导体模块(1)，该功率半导体模块带有至少两个相互连接的功率半导体单元(19，20)、模块壳体(2，3，13)和至少一个连接母线(9，10，11，12，21)，其中，所述功率半导体单元具有可控的功率半导体，所述半导体单元(19，20)设置在所述模块壳体内并且所述模块壳体具有绝缘的侧壁(13)，所述连接母线穿过所述侧壁(13)并且与至少一个所述功率半导体单元(19，20)连接，其特征在于，所述绝缘的侧壁(13)设计为绝缘并且一体构造的子元件(14，15，16)的堆叠，其中，所述子元件(14)以接触区域相互贴靠。
2.如权利要求1所述的功率半导体模块(1)，其特征在于，所述子元件(14，15，16)周向闭合地构造。
3.如前述权利要求之一所述的功率半导体模块(1)，其特征在于，所述子元件(14，15，16)具有至少一个加强肋(22)。
4.如前述权利要求之一所述的功率半导体模块(1)，其特征在于，至少一个连接母线(9，10，11，12，21)在两个子元件(14，15，16)之间穿过所述侧壁(13)。
5.如前述权利要求之一所述的功率半导体模块(1)，其特征在于，至少一个子元件(14，15，16)在它的接触区域具有缺口(23，24，25)，连接母线(9，10，11，12，21)中的一个延伸穿过所述缺口。
6.如权利要求5所述的功率半导体模块(1)，其特征在于，所述缺口(23，24，25)和延伸穿过该缺口的连接母线(9，10，11，12，21)相互形状互补地构造。
7.如前述权利要求之一所述的功率半导体模块(1)，其特征在于，所述子元件(14，15，16)由玻璃纤维强化塑料制成。
8.如前述权利要求之一所述的功率半导体模块(1)，其特征在于，每个功率半导体单元(19，20)具有功率半导体芯片和单元壳体，所述功率半导体芯片设置在所述单元壳体内。
9.如权利要求8所述的功率半导体模块(1)，其特征在于，所述功率半导体芯片借助于连接引线相互连接。
10.如前述权利要求之一所述的功率半导体模块(1)，其特征在于，所述绝缘壁(13)在底板(2)和盖板(3)之间延伸，其中，所述底板(2)和/或所述盖板(3)设计为冷却板。
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