[发明专利]玻璃-陶瓷基绝缘体上半导体结构及其制造方法无效

专利信息
申请号: 200980155842.1 申请日: 2009-11-24
公开(公告)号: CN102292808A 公开(公告)日: 2011-12-21
发明(设计)人: C·P·戴格勒;K·P·加德卡里;J·F·麦齐;S·A·蒂切 申请(专利权)人: 康宁股份有限公司
主分类号: H01L21/76 分类号: H01L21/76
代理公司: 上海专利商标事务所有限公司 31100 代理人: 沙永生
地址: 美国*** 国省代码: 美国;US
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摘要: 发明提供了用于以下目的的用来形成玻璃-陶瓷结构上半导体的方法和设备:对给体半导体晶片的一个注入表面进行离子注入操作,形成给体半导体晶片的剥离层;通过电解将所述剥离层的注入表面与玻璃基片结合;将所述剥离层与给体半导体晶片分离,从而形成中间体型前体玻璃上半导体结构;将所述中间体型前体玻璃上半导体结构夹在第一和第二支承结构之间;对所述第一和第二支承结构中的一个或两个施加压力;以及对所述中间体型前体玻璃上半导体结构进行热处理步骤,使得前体玻璃结晶化,从而形成玻璃-陶瓷上半导体结构。
搜索关键词: 玻璃 陶瓷 绝缘体 上半 导体 结构 及其 制造 方法
【主权项】:
一种形成玻璃‑陶瓷上半导体结构的方法,该方法包括:使给体半导体晶片的注入表面进行注入法,产生给体半导体晶片的剥离层;采用电解将剥离层的注入表面与前体玻璃基片结合;将所述剥离层与给体半导体晶片分离,从而形成中间体型前体玻璃上半导体结构;将所述中间体型前体玻璃上半导体结构夹层在第一和第二支承结构之间;对所述第一和第二支承结构中的一者或二者施加压力;以及对所述中间体型前体玻璃上半导体结构进行热处理步骤,使得所述前体玻璃结晶化,形成玻璃‑陶瓷上半导体结构。
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