[发明专利]玻璃-陶瓷基绝缘体上半导体结构及其制造方法无效
申请号: | 200980155842.1 | 申请日: | 2009-11-24 |
公开(公告)号: | CN102292808A | 公开(公告)日: | 2011-12-21 |
发明(设计)人: | C·P·戴格勒;K·P·加德卡里;J·F·麦齐;S·A·蒂切 | 申请(专利权)人: | 康宁股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/76 | 分类号: | H01L21/76 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人: | 沙永生 |
地址: | 美国*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | 本发明提供了用于以下目的的用来形成玻璃-陶瓷结构上半导体的方法和设备:对给体半导体晶片的一个注入表面进行离子注入操作,形成给体半导体晶片的剥离层;通过电解将所述剥离层的注入表面与玻璃基片结合;将所述剥离层与给体半导体晶片分离,从而形成中间体型前体玻璃上半导体结构;将所述中间体型前体玻璃上半导体结构夹在第一和第二支承结构之间;对所述第一和第二支承结构中的一个或两个施加压力;以及对所述中间体型前体玻璃上半导体结构进行热处理步骤,使得前体玻璃结晶化,从而形成玻璃-陶瓷上半导体结构。 | ||
搜索关键词: | 玻璃 陶瓷 绝缘体 上半 导体 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
一种形成玻璃‑陶瓷上半导体结构的方法,该方法包括:使给体半导体晶片的注入表面进行注入法,产生给体半导体晶片的剥离层;采用电解将剥离层的注入表面与前体玻璃基片结合;将所述剥离层与给体半导体晶片分离,从而形成中间体型前体玻璃上半导体结构;将所述中间体型前体玻璃上半导体结构夹层在第一和第二支承结构之间;对所述第一和第二支承结构中的一者或二者施加压力;以及对所述中间体型前体玻璃上半导体结构进行热处理步骤,使得所述前体玻璃结晶化,形成玻璃‑陶瓷上半导体结构。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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