[发明专利]太阳能电池和用于由硅基底制造太阳能电池的方法

摘要

本发明涉及一种用于由硅基底(1)、尤其是硅晶片制造具有正面和背面的太阳能电池的方法，该方法包括如下步骤：A.使所述硅基底(1)的一个面具有纹路以改进太阳能电池受到电磁辐射时的吸收性和/或去除所述硅基底(1)的一个面上的锯切损伤，B.通过扩散入一掺杂材料在所述硅基底(1)的一个面上产生一发射极区域(2)，用以形成一pn结，C.去除玻璃层，其中所述玻璃层包含所述掺杂材料，D.施加掩蔽层(3)，其中所述掩蔽层(3)是介电层，E.去除所述硅基底(1)材料的一部分，F.施加金属化结构(5、6)，以用于太阳能电池的电接触。重要的是：在方法步骤E和F之间实施热氧化，以形成氧化层(4)，掩蔽层(3)和氧化层(4)在随后的工艺步骤中保留在硅基底(1)上。

主权项

一种用于由硅基底(1)、尤其是硅晶片制造具有正面和背面的太阳能电池的方法，包括如下方法步骤：i.使所述硅基底(1)的至少一个面具有纹路以改进所述太阳能电池受到电磁辐射时的吸收性和/或去除所述硅基底(1)的至少一个面上的锯切损伤，ii.通过扩散入至少一种掺杂材料至少在所述硅基底(1)的至少一个面的部分区域上产生至少一个发射极区域(2)，用以形成至少一个pn结，iii.去除所述硅基底(1)的至少一个面上的玻璃层，其中所述玻璃层包含掺杂材料，iv.至少在所述硅基底(1)的至少一个面的部分区域上施加掩蔽层(3)，其中所述掩蔽层(3)是介电层，v.从所述硅基底(1)的至少一个面上剥蚀所述硅基底(1)的材料的至少一部分和/或对所述硅基底(1)的至少一个面进行整理，vi.在所述硅基底(1)的正面(1a)和/或背面(1b)上施加金属化结构(5、6)，以用于所述太阳能电池的电接触，其特征在于，在所述方法步骤E和F之间在方法步骤E2中实施热氧化，以至少在所述硅基底(1)的所述正面和/或背面的部分区域中形成氧化层(4)，所述氧化层不被在步骤D中施加的所述掩蔽层(3)覆盖；所述掩蔽层(3)和所述氧化层(4)基本上在随后的工艺步骤中保留在所述硅基底(1)上。