[发明专利]发射辐射的装置有效

专利信息
申请号: 200980149588.4 申请日: 2009-10-06
公开(公告)号: CN102239580A 公开(公告)日: 2011-11-09
发明(设计)人: 阿尔维德·洪策;邱建树;拉尔夫·克劳泽;弗兰克·施泰因巴赫尔 申请(专利权)人: 欧司朗光电半导体有限公司
主分类号: H01L51/50 分类号: H01L51/50
代理公司: 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 代理人: 李德山;周涛
地址: 德国雷*** 国省代码: 德国;DE
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摘要: 发明涉及一种发射辐射的装置,具有:衬底;第一电极和第二电极;以及设置在第一电极和第二电极之间的发射器层。该发射器层在此包括基质材料,0.5~5重量%的发射辐射的发射器和5~30重量%的发磷光的激子捕获器。激子捕获器的重量比例在此高于发射辐射的发射器的重量比例,并且激子捕获器的发射最大值处于比发射辐射的发射器的发射最大值更短的波长处。此外,发射辐射的装置的特征在于,发射器层的电流效率相对于不包含激子捕获器的发射器层的电流效率而是提高了至少10%。
搜索关键词: 发射 辐射 装置
【主权项】:
一种发射辐射的装置,具有: 衬底(1); 第一电极(2)和第二电极(9); 设置在第一电极和第二电极之间的至少一个发射器层(5),其中该发射器层包括基质材料,0.5~5重量%的发射辐射的发射器以及5~30重量%的发磷光的激子捕获器,其中激子捕获器的重量比例高于发射辐射的发射器的重量比例,其中发射器层的电流效率相对于不带激子捕获器的发射器层的电流效率提高了至少10%,以及其中与发射辐射的发射器相比,激子捕获器在更短的波长处具有发射最大值。
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