[发明专利]深沟槽背接触光伏太阳能电池

摘要

本发明提供了一种聚光光伏太阳能电池和一种用半导体晶圆制备该电池的方法。所述方法的步骤包括：首先在所述晶圆背面进行掺杂以提供第一掺杂区域。在正面和背面淀积钝化层。穿过钝化层在背面形成深的沟槽，并掺杂所述背面以便在所述深沟槽内提供反向掺杂的第二掺杂区域。然后形成穿过背面钝化层直至第一掺杂区的开口；并在背面形成电连接第一和第二掺杂区的电触点。所述光伏聚光电池包括正面和背面均沉积有钝化层的半导体晶圆；和在背面的第一掺杂区域；其还包括在从背面以连接所述第一掺杂区的开口中形成的p型接触，从背面延伸到晶圆内部的深沟槽中的n型电接触，和在形成所述深沟槽后但在形成n型电接触之前在深沟槽中掺杂的第二掺杂区域。

主权项

一种用半导体晶圆制作光伏聚光太阳能电池的方法，所述晶圆包括正面和背面，所述方法包括以下步骤：(a)掺杂所述晶圆的背面以提供在所述晶圆背面的第一掺杂区域；(b)在所述背面和所述正面沉积钝化层；(c)在所述背面形成穿过所述钝化层的深沟槽；(d)掺杂所述背面以提供在所述深沟槽内的第二掺杂区域，所述第二掺杂区域的掺杂与所述第一掺杂区域的掺杂相反；(e)形成穿过所述背面钝化层并到达所述第一掺杂区域的开口；和(f)在所述背面形成电触点以电连接所述第一掺杂区域和第二掺杂区域。