[发明专利]改进的轴向梯度传输(AGT)生长工艺和利用电阻加热的装置有效
| 申请号： | 200980149325.3 | 申请日： | 2009-12-08 |
| 公开（公告）号： | CN102245813A | 公开（公告）日： | 2011-11-16 |
| 发明（设计）人： | 瓦拉塔拉詹·伦加拉詹;伊利娅·茨维巴克;迈克尔·C·诺兰;布赖恩·K·布鲁哈德 | 申请（专利权）人： | II-VI有限公司 |
| 主分类号： | C30B15/14 | 分类号： | C30B15/14;C30B15/10;C30B29/06 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 顾红霞;段斌 |
| 地址： | 美国宾夕*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种坩埚具有以间隔关系设置在坩埚顶部上方的第一电阻加热器以及第二电阻加热器，该第二电阻加热器具有以间隔关系设置在坩埚底部下方的第一电阻部和以间隔关系围绕坩埚侧部的外侧设置的第二电阻部。坩埚设置有位于坩埚内部的顶部的籽晶和在坩埚内以间隔关系位于籽晶与坩埚底部之间的源材料。足够大的电功率施加在第一电阻加热器和第二电阻加热器上，以便在坩埚内部形成足够温度的温度梯度，从而使源材料升华并凝结在籽晶上，由此形成生长晶体。 | ||
| 搜索关键词： | 改进 轴向 梯度 传输 agt 生长 工艺 利用 电阻 加热 装置 | ||
【主权项】：
一种轴向梯度生长装置，包括：坩埚，其具有顶部、底部以及在所述坩埚的顶部与所述坩埚的底部之间延伸的侧部，所述坩埚适于支撑位于所述坩埚内部的顶部的籽晶和在所述坩埚内部以间隔关系位于所述籽晶与所述坩埚底部之间的源材料，所述源材料与所述坩埚底部之间的间隔限定位于所述坩埚内部的空腔；第一电阻加热器，其以间隔关系设置在所述坩埚顶部的上方；以及第二电阻加热器，其具有以间隔关系设置在所述坩埚底部下方的第一部和以间隔关系围绕所述坩埚侧部的外侧设置的第二部。
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