[发明专利]用于加工用于制造太阳能电池的晶片的表面的方法及晶片无效

专利信息
申请号: 200980149116.9 申请日: 2009-12-07
公开(公告)号: CN102246323A 公开(公告)日: 2011-11-16
发明(设计)人: D.哈伯曼 申请(专利权)人: 吉布尔.施密德有限责任公司
主分类号: H01L31/18 分类号: H01L31/18
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 72001 代理人: 李少丹;李家麟
地址: 德国弗罗*** 国省代码: 德国;DE
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摘要: 在一种用于处理用于制造太阳能电池的晶片(11)的表面的方法中,其中在该方法之前的一步骤中,在该晶片上已施加一抗反射及钝化层(16)于p掺杂层(14)上;在随后在该晶片表面上金属化以制造该太阳能电池的接触部之前,在一加工步骤中处理该表面。这用于钝化或用于去除该抗反射及钝化层(16)中的干扰(18)区域诸如刮痕、缺陷部位、针孔及非均质区域中的该p掺杂层(14)。因此可避免金属沉积于这些干扰区域上。
搜索关键词: 用于 加工 制造 太阳能电池 晶片 表面 方法
【主权项】:
一种用于处理用于制造太阳能电池的晶片的表面的方法,其中在该方法之前的步骤中,在该晶片上已将抗反射及钝化层施加于p掺杂层上了,其特征在于:在用于制造该太阳能电池的接触部的该晶片表面上的随后的金属化或金属沉积之前,在一加工步骤中处理该表面,用于钝化或去除该抗反射及钝化层中的干扰区域例如刮痕、缺陷部位、针孔及非均质区域中的该p掺杂层,以避免金属沉积于这些干扰上。
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