[发明专利]用于加工用于制造太阳能电池的晶片的表面的方法及晶片无效
申请号: | 200980149116.9 | 申请日: | 2009-12-07 |
公开(公告)号: | CN102246323A | 公开(公告)日: | 2011-11-16 |
发明(设计)人: | D.哈伯曼 | 申请(专利权)人: | 吉布尔.施密德有限责任公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 李少丹;李家麟 |
地址: | 德国弗罗*** | 国省代码: | 德国;DE |
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摘要: | 在一种用于处理用于制造太阳能电池的晶片(11)的表面的方法中,其中在该方法之前的一步骤中,在该晶片上已施加一抗反射及钝化层(16)于p掺杂层(14)上;在随后在该晶片表面上金属化以制造该太阳能电池的接触部之前,在一加工步骤中处理该表面。这用于钝化或用于去除该抗反射及钝化层(16)中的干扰(18)区域诸如刮痕、缺陷部位、针孔及非均质区域中的该p掺杂层(14)。因此可避免金属沉积于这些干扰区域上。 | ||
搜索关键词: | 用于 加工 制造 太阳能电池 晶片 表面 方法 | ||
【主权项】:
一种用于处理用于制造太阳能电池的晶片的表面的方法,其中在该方法之前的步骤中,在该晶片上已将抗反射及钝化层施加于p掺杂层上了,其特征在于:在用于制造该太阳能电池的接触部的该晶片表面上的随后的金属化或金属沉积之前,在一加工步骤中处理该表面,用于钝化或去除该抗反射及钝化层中的干扰区域例如刮痕、缺陷部位、针孔及非均质区域中的该p掺杂层,以避免金属沉积于这些干扰上。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
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H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的