[发明专利]探测电磁辐射的设备和方法无效
申请号: | 200980148814.7 | 申请日: | 2009-10-06 |
公开(公告)号: | CN102257406A | 公开(公告)日: | 2011-11-23 |
发明(设计)人: | I·V·库库斯金;V·M·马拉维 | 申请(专利权)人: | 特拉辛斯集团公司 |
主分类号: | G01V3/12 | 分类号: | G01V3/12;G01V3/17;G01N23/00;G01B15/00 |
代理公司: | 北京纪凯知识产权代理有限公司 11245 | 代理人: | 赵蓉民;张全信 |
地址: | 美国加*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | 高速和微型探测系统,特别是用于GHz和THz范围中的电磁辐射,其包括具有2D载流子层或者准2D载流子层的半导体结构——其中具有掺入的一个或多个缺陷、至载流子层的至少第一和第二接点、和测量第一和第二接点之间的光电压的装置。各种实施方式中的系统操作依赖于半导体结构中的等离子体波的共振激发。 | ||
搜索关键词: | 探测 电磁辐射 设备 方法 | ||
【主权项】:
固态探测器设备,包括:具有载流子层的半导体结构,其中载流子以二维(2D)移动;在所述载流子层中引入的一个或多个缺陷;和至所述载流子层的至少第一接点和第二接点,所述接点间隔开一段距离。
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