[发明专利]光电转换装置的制造方法、光电转换装置的制造装置及光电转换装置无效
| 申请号： | 200980147736.9 | 申请日： | 2009-08-25 |
| 公开（公告）号： | CN102227817A | 公开（公告）日： | 2011-10-26 |
| 发明（设计）人： | 川添浩平;宇田和孝;马场智义;石出孝;中尾祯子 | 申请（专利权）人： | 三菱重工业株式会社 |
| 主分类号： | H01L31/04 | 分类号： | H01L31/04 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 雒运朴 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 提供一种能够将加工槽的槽深度控制成希望值的光电转换装置的制造方法、光电转换装置的制造装置及光电转换装置。一种光电转换装置(10)的制造方法，具有对构成光电转换装置(10)的中间接触层分离槽(15)照射皮秒激光，并使皮秒激光相对于中间接触层分离槽(15)进行相对移动而沿规定的扫描方向形成加工槽(15)的槽形成工序，其中，槽形成工序在与的射束直径相当的照射区域内形成沿一方向并列排列的干涉条纹，并以将干涉条纹沿扫描方向连接的方式使皮秒激光进行相对移动。 | ||
| 搜索关键词： | 光电 转换 装置 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种光电转换装置的制造方法，具有对构成光电转换装置的薄膜照射激光，并使该激光相对于该薄膜进行相对移动而沿规定的扫描方向形成加工槽的槽形成工序，其中，所述槽形成工序在与所述激光的射束直径相当的照射区域内形成沿一方向并列排列的干涉条纹，并以将该干涉条纹沿所述扫描方向连接的方式使所述激光进行相对移动。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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