[发明专利]电子部件的制造方法有效
| 申请号： | 200980146737.1 | 申请日： | 2009-11-11 |
| 公开（公告）号： | CN102217040A | 公开（公告）日： | 2011-10-12 |
| 发明（设计）人： | 齐藤岳史;高津知道 | 申请（专利权）人： | 电气化学工业株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/301 | 分类号： | H01L21/301 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 刘多益 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明的目的为通过预先降低紫外线固化型粘合剂的粘合力并同时提高凝集力的方式来抑制在切割后对带有粘合剂半固化层的芯片进行拾取时发生的拾取不良。本发明提供一种带有粘合剂半固化层的半导体晶圆的切割方法，该方法包括：粘合剂半固化层形成工序，在半导体晶圆的背面涂布膏状粘合剂并且对该膏状粘合剂进行加热或利用紫外线照射，使得膏状粘合剂半固化为片状，从而形成粘合剂半固化层；贴合工序，将在基膜上层叠紫外线固化型粘合剂后所得的粘合片贴合于上述粘合剂半固化层上；紫外线照射工序，对上述紫外线固化型粘合剂进行紫外线照射；以及切割工序，对贴合在上述粘合片上的上述粘合剂半固化层和上述半导体晶圆进行切割。 | ||
| 搜索关键词： | 电子 部件 制造 方法 | ||
【主权项】：
带有粘合剂半固化层的半导体晶圆的切割方法，包括：粘合剂半固化层形成工序，在半导体晶圆的背面涂布膏状粘合剂并且对该膏状粘合剂进行加热或紫外线照射，使得膏状粘合剂半固化为片状，从而形成粘合剂半固化层；贴合工序，将在基膜上层叠紫外线固化型粘合剂后所得的粘合片贴合于所述粘合剂半固化层上；紫外线照射工序，对所述紫外线固化型粘合剂进行紫外线照射；以及切割工序，对贴合在所述粘合片上的所述粘合剂半固化层和所述半导体晶圆进行切割。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
