[发明专利]用于太阳能电池应用的硅表面的干法清洁无效
申请号: | 200980146538.0 | 申请日: | 2009-12-22 |
公开(公告)号: | CN102224599A | 公开(公告)日: | 2011-10-19 |
发明(设计)人: | 维伦德拉·VS·拉纳;迈克尔·P·斯图尔特 | 申请(专利权)人: | 应用材料股份有限公司 |
主分类号: | H01L31/042 | 分类号: | H01L31/042;H01L21/302 |
代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人: | 徐金国;钟强 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | 公开了一种用于清洁太阳能电池基板的各层的方法和装置。将基板暴露到反应气体,该反应气体可包括具有氮和氟的中性基或者可包括无水HF和水、醇、或者水和醇的混合物。该反应气体可进一步包括载气。该反应气体蚀刻太阳能电池基板表面,去除氧和其它杂质。当暴露到中性基时,基板生长含有六氟硅酸铵的薄膜,随后通过热处理将其去除。 | ||
搜索关键词: | 用于 太阳能电池 应用 表面 清洁 | ||
【主权项】:
一种处理太阳能电池基板的层的方法,包括:将太阳能电池基板设置在具有壁的处理室中的基板支架上;提供包括中性基的反应气体混合物至处理室;将反应气体混合物导向基板;使中性基与来自基板的氧反应以在基板上形成薄膜;在形成薄膜期间保持基板温度低于室壁温度;和去除薄膜。
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H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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