[发明专利]利用场感应反铁磁性或铁磁性耦合的自旋转矩转移单元结构有效
| 申请号： | 200980144286.8 | 申请日： | 2009-10-22 |
| 公开（公告）号： | CN102203869A | 公开（公告）日： | 2011-09-28 |
| 发明（设计）人： | 刘峻;古尔特杰·桑胡 | 申请（专利权）人： | 美光科技公司 |
| 主分类号： | G11C11/16 | 分类号： | G11C11/16;G01R33/09;H01F10/32;H04L27/156 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 宋献涛 |
| 地址： | 美国爱*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明提供一种包括软磁性层(104、204、254、304、354)及耦合层(106、206、256、306、356)的磁性存储器单元(50)，及一种操作所述存储器单元(50)的方法。所述存储器单元(50)包括具有自由铁磁性层(108、208、258、308、358)及钉扎铁磁性层(112、212、262、312、362)的堆叠(52、100、200、250、300、350)，且也可形成软磁性层(104、204、254、304、354)及耦合层(106、206、256、306、356)以作为所述堆叠(52、100、200、250、300、350)中的层。所述耦合层(106、206、256、306、356)可导致反铁磁性耦合以诱导所述自由铁磁性层(108、208、258、308、358)在反平行于所述软磁性层(104、204、254、304、354)的磁化的方向上被磁化，或所述耦合层(106、206、256、306、356)可导致铁磁性耦合以诱导所述自由铁磁性层(108、208、258、308、358)在平行于所述软磁性层(104、204、254、304、354)的所述磁化的方向上被磁化。 | ||
| 搜索关键词： | 利用 感应 铁磁性 耦合 自旋 转矩 转移 单元 结构 | ||
【主权项】：
一种存储器单元，其包含：磁性单元结构，其包含磁性隧道结(MTJ)或自旋阀；软磁性材料；及耦合层，其布置于所述磁性单元结构与所述软磁性层之间。
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