[发明专利]等离子体处理腔室的下电极组件有效

专利信息
申请号: 200980141249.1 申请日: 2009-10-29
公开(公告)号: CN102187741A 公开(公告)日: 2011-09-14
发明(设计)人: 贾森·奥古斯蒂诺;康·召;基思·威廉·加夫;汉·通·哈;布雷特·C·理查森;哈梅特·辛格 申请(专利权)人: 朗姆研究公司
主分类号: H05H1/34 分类号: H05H1/34;H01L21/3065
代理公司: 上海胜康律师事务所 31263 代理人: 周文强;李献忠
地址: 美国加利*** 国省代码: 美国;US
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摘要: 用于在等离子体处理腔室中使用的下电极组件,包括金属底座和上边缘环和下边缘环。所述金属底座包括焊接在一起的且在所述底座的下侧面形成焊接线的各金属板,从下侧面水平向内延伸的边缘环支架表面和在所述边缘环支架表面上方的上侧面。所述上边缘环包括安装在所述边缘环支架表面的下表面,且所述下边缘环环绕所述底座的下侧面,在所述上边缘环和所述下边缘环的相对表面之间以及在所述下边缘环和所述底座的外部边缘之间具有间隙。所述间隙具有足够的总间隙长度比平均间隙宽度的长宽比,以阻止在所述焊接线的位置上形成电弧。
搜索关键词: 等离子体 处理 电极 组件
【主权项】:
用于在等离子体处理腔室中使用的下电极组件,包括:(a)包含有金属板的金属底座:(i)在下侧面上位于将所述金属板冶金结合在一起的焊接接合部的位置处的焊接线;(ii)从所述下侧面水平向内延伸的边缘环支架表面;和(iii)位于所述边缘环支架表面上方的上侧面;(b)包含有安装在所述边缘环支架表面上的下表面的上边缘环;(c)围绕所述下侧面的下边缘环;和(d)在所述上边缘环和所述下边缘环的相对表面之间以及在所述下边缘环和所述底座的外部边缘之间的间隙,所述间隙具有足够的总间隙长度比平均间隙宽度的长宽比,以阻止在所述焊接线的位置上形成电弧。
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