[发明专利]用于在垂直磁记录介质中的软磁膜层的合金,溅射靶材及其制备方法有效
申请号: | 200980135768.7 | 申请日: | 2009-07-14 |
公开(公告)号: | CN102149836A | 公开(公告)日: | 2011-08-10 |
发明(设计)人: | 泽田俊之;岸田敦;长谷川浩之;柳谷彰彦 | 申请(专利权)人: | 山阳特殊制钢株式会社 |
主分类号: | C22C19/07 | 分类号: | C22C19/07;B22F1/00;B22F3/14;C22C1/04;C22C38/00;C23C14/34;G11B5/851 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 程金山 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明提供一种用于在垂直磁记录介质中的软磁膜层的合金,所述合金具有优异的饱和磁通密度、非结晶性和耐腐蚀性,并且提供一种整体上具有这种优异的合金组成但是具有高的PTF值的溅射靶材,该溅射靶材可以有效地用于磁控溅射。这种合金包含以原子%计的下列各项:Fe:10至45%;Ni:1至25%;Zr、Hf、Nb、Ta和B中的一种或多种:Zr+Hf+Nb+Ta+B/2之和为5至10%,其中B为0至7%的量;以及Al和Cr中的一种或多种:Al+Cr之和为0至5%;以及作为余量的Co和不可避免的杂质:37%以上,并且所述合金以原子比计满足下列各项:Fe/(Co+Fe+Ni):0.10至0.50;以及Ni/(Co+Fe+Ni):0.01至0.25。 | ||
搜索关键词: | 用于 垂直 记录 介质 中的 软磁膜层 合金 溅射 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种用于在垂直磁记录介质中的软磁膜层的合金,所述合金包含以原子%计的下列各项:Fe:10至45%;Ni:1至25%;Zr、Hf、Nb、Ta和B中的一种或多种:Zr+Hf+Nb+Ta+B/2之和为5至10%,其中B为0至7%的量;以及Al和Cr中的一种或多种:Al+Cr之和为0至5%;以及作为余量的Co和不可避免的杂质:37%以上,并且所述合金以原子比计满足下列各项:Fe/(Co+Fe+Ni):0.10至0.50;以及Ni/(Co+Fe+Ni):0.01至0.25。
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