[发明专利]用于在垂直磁记录介质中的软磁膜层的合金,溅射靶材及其制备方法有效
申请号: | 200980135768.7 | 申请日: | 2009-07-14 |
公开(公告)号: | CN102149836A | 公开(公告)日: | 2011-08-10 |
发明(设计)人: | 泽田俊之;岸田敦;长谷川浩之;柳谷彰彦 | 申请(专利权)人: | 山阳特殊制钢株式会社 |
主分类号: | C22C19/07 | 分类号: | C22C19/07;B22F1/00;B22F3/14;C22C1/04;C22C38/00;C23C14/34;G11B5/851 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 程金山 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 垂直 记录 介质 中的 软磁膜层 合金 溅射 及其 制备 方法 | ||
1.一种用于在垂直磁记录介质中的软磁膜层的合金,所述合金包含以原子%计的下列各项:
Fe:10至45%;
Ni:1至25%;
Zr、Hf、Nb、Ta和B中的一种或多种:Zr+Hf+Nb+Ta+B/2之和为5至10%,其中B为0至7%的量;以及
Al和Cr中的一种或多种:Al+Cr之和为0至5%;以及
作为余量的Co和不可避免的杂质:37%以上,并且所述合金以原子比计满足下列各项:
Fe/(Co+Fe+Ni):0.10至0.50;以及
Ni/(Co+Fe+Ni):0.01至0.25。
2.一种制备用于在垂直磁记录介质中的软磁膜层的溅射靶材的方法,所述方法包括下列步骤:
(a)提供两种以上的具有不同组成的原料粉末,以在总组成上构成根据权利要求1所述的用于软磁膜的合金,其中所述两种以上的粉末中的至少一种粉末包含以原子%计的下列各项:
Ni:20至34%;
Co:0至6%;
Zr、Hf、Nb、Ta和B中的一种或多种:Zr+Hf+Nb+Ta+B/2之和为3至12%,其中B为0至7%的量;以及
Al和Cr中的一种或多种:Al+Cr之和为0至5%;以及
作为余量的Fe和不可避免的杂质,并且以原子比计满足下列各项:
Ni/(Fe+Ni):0.27至0.35;
(b)将所述两种以上的粉末混合以提供混合物;以及
(c)使所述混合物固结以形成溅射靶材。
3.根据权利要求2所述的方法,其中所述固结步骤通过镦粗方法进行。
4.一种用于在垂直磁记录介质中的软磁膜层的溅射靶材,所述溅射靶材通过根据权利要求2所述的方法制备。
5.一种用于在垂直磁记录介质中的软磁膜层的溅射靶材,所述溅射靶材通过根据权利要求3所述的方法制备。
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