[发明专利]用于基于电阻的存储器应用的存储器装置有效
| 申请号： | 200980135343.6 | 申请日： | 2009-09-01 |
| 公开（公告）号： | CN102150214A | 公开（公告）日： | 2011-08-10 |
| 发明（设计）人： | 阿诺什·B·达维埃尔瓦拉;钟成;朴东奎;穆罕默德·哈桑·阿布-拉赫马;迈赫迪·哈米迪·萨尼;杨赛森 | 申请（专利权）人： | 高通股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C7/06 | 分类号： | G11C7/06;G11C7/10;G11C7/12;G11C7/14;G11C11/16 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 宋献涛 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 在特定实施例中，揭示一种存储器装置(100)，其包括存储器单元(226)，所述存储器单元(226)包括耦合到存取晶体管(230)的基于电阻的存储器元件(228)。所述存取晶体管具有第一氧化物厚度以使所述存储器单元能够在操作电压下操作。所述存储器装置还包括第一放大器(202)，所述第一放大器(202)经配置以将所述存储器单元耦合到大于电压限值的供应电压(Vamp)以基于穿过所述存储器单元的电流产生数据信号。所述第一放大器包括箝位晶体管(216)，所述箝位晶体管(216)具有大于所述第一氧化物厚度的第二氧化物厚度。所述箝位晶体管经配置以防止所述存储器单元处的所述操作电压超过所述电压限值。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 基于 电阻 存储器 应用 装置 | ||
【主权项】：
一种存储器装置，其包含：存储器单元，其包括耦合到存取晶体管的基于电阻的存储器元件，所述存取晶体管具有第一氧化物厚度以使所述存储器单元能够在操作电压下操作；以及第一放大器，其经配置以将所述存储器单元耦合到大于电压限值的供应电压以基于穿过所述存储器单元的电流产生数据信号，其中所述第一放大器包括箝位晶体管，所述箝位晶体管具有大于所述第一氧化物厚度的第二氧化物厚度，且其中所述箝位晶体管经配置以防止所述存储器单元处的所述操作电压超过所述电压限值。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于高通股份有限公司，未经高通股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200980135343.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：养肝脱毒丸
- 下一篇：一种中药组合物在制备治疗冠状动脉疾病药物中的用途
