[发明专利]控制干燥步骤的制造填充结构的方法无效
| 申请号： | 200980133872.2 | 申请日： | 2009-05-29 |
| 公开（公告）号： | CN102137825A | 公开（公告）日： | 2011-07-27 |
| 发明（设计）人： | P·德尔加罗;E·鲍恩;J·卡恩东纳 | 申请（专利权）人： | 乔治洛德方法研究和开发液化空气有限公司 |
| 主分类号： | C04B28/18 | 分类号： | C04B28/18;C04B38/00;C10L3/04;F17C11/00 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人： | 林柏楠;彭飞 |
| 地址： | 法国*** | 国省代码： | 法国;FR |
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| 摘要： | 本发明涉及制造填充结构的方法，其特征在于其包括下述主步骤：a)包括填充物质的水热合成的步骤，该步骤使用生石灰和二氧化硅的混合物进行；和b)包括将步骤a)中制得的填充物质在110℃至500℃的温度T2、可能在存在至少一个中间阶段的情况下干燥达t2时间的干燥步骤，所述中间阶段在111℃至350℃的温度进行，选择时间t2以使所述填充物质的物理吸附水的含量小于0.5％。 | ||
| 搜索关键词： | 控制 干燥 步骤 制造 填充 结构 方法 | ||
【主权项】：
制造包含结晶相的容器填充结构的方法，所述结晶相含有55至97重量％的硬硅钙石微晶和3至45重量％的雪硅钙石微晶、少于15重量％的下式的中间体：CaxSiyOz，w H2O，其中1＜x＜16，1＜y＜24，4＜z＜60且1＜w＜18，包括少于5重量％的CaCO3和少于5重量％的SiO2，所述填充结构是均匀的，所述方法的特征在于其包括下述主步骤：a)用于合成填充物质的水热合成步骤，该步骤通过将生石灰与二氧化硅混合而进行；和b)干燥步骤，用于将获自步骤a)的填充物质在110℃至500℃的温度T2、在存在至少一个中间保持温度T2’的情况下干燥，其中T2’在111℃至350℃的温度进行，T2’＜T2，选择干燥步骤的时间t2以使所述填充物质的物理吸附水的含量小于0.5％。
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