[发明专利]动态驱动的深N阱电路有效
| 申请号： | 200980125010.5 | 申请日： | 2009-06-10 |
| 公开（公告）号： | CN102084489A | 公开（公告）日： | 2011-06-01 |
| 发明（设计）人： | J·M·布朗斯里斯;S·R·科斯克;C·D·皮特森 | 申请（专利权）人： | 美国亚德诺半导体公司 |
| 主分类号： | H01L29/94 | 分类号： | H01L29/94 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 申发振 |
| 地址： | 美国马*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种电路，包括：具有漏极和源极的NMOS晶体管、包含漏极和源极的p阱、位于p阱下的n阱以及被配置成响应于第一开关信号的使能阶段而选择性地将n阱连接至预定电压的第一阱开关。第一阱开关可以被配置成在第一开关信号的使能阶段将n阱连接至预定电压并且在第一开关信号的非使能阶段使n阱电浮动。 | ||
| 搜索关键词： | 动态 驱动 电路 | ||
【主权项】：
一种电路，包含：具有漏极和源极的NMOS晶体管；包含所述漏极和所述源极的p阱；位于所述p阱下的n阱；以及第一阱开关，被配置成响应于第一开关信号的使能阶段而选择性地将所述n阱连接至预定电压。
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