[发明专利]用于形成精细间距结构的方法有效
申请号: | 200980122694.3 | 申请日: | 2009-05-28 |
公开(公告)号: | CN102067282A | 公开(公告)日: | 2011-05-18 |
发明(设计)人: | 古尔特杰·桑胡 | 申请(专利权)人: | 美光科技公司 |
主分类号: | H01L21/027 | 分类号: | H01L21/027;G03F7/20 |
代理公司: | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人: | 宋献涛 |
地址: | 美国爱*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | 使用具有开放内部体积的模具来界定图案。所述模具具有界定所述内部体积并抑制沉积的顶层、底层和侧壁。所述模具的一端为开放的,且相对端具有用作晶种侧壁的侧壁。将第一材料沉积在所述晶种侧壁上。将第二材料沉积在所述所沉积的第一材料上。所述第一和第二材料的沉积是交替的,从而在所述内部体积中形成所述第一和第二材料的交替行。随后选择性地移除所述模具和晶种层。另外,选择性地移除所述第一或第二材料中的一者,从而形成包括剩余材料的独立行的图案。所述独立行可用作例如集成电路等最终产品中的结构,或可用作硬掩模结构以图案化下伏衬底。所述模具和材料行可形成于多个层级上。不同层级上的所述行可彼此交叉。从所述行中的一些行选择性地移除材料可从开口形成例如接触通孔。 | ||
搜索关键词: | 用于 形成 精细 间距 结构 方法 | ||
【主权项】:
一种图案化方法,其包含:提供衬底,所述衬底的顶部表面包含沉积抑制材料;在所述沉积抑制材料上提供大量的牺牲材料;在所述大量的所述牺牲材料的一侧上形成晶种壁;在所述大量的所述牺牲材料的相对侧上形成第一和第二沉积抑制壁,所述晶种壁安置于所述第一沉积抑制壁与所述第二沉积抑制壁之间且与所述第一沉积抑制壁和所述第二沉积抑制壁接触;在所述大量的所述牺牲材料上形成沉积抑制罩盖层;选择性地移除所述大量的所述牺牲材料以形成开放体积,所述开放体积至少部分地由所述晶种壁、所述第一和第二沉积抑制壁、所述沉积抑制材料和所述罩盖层定边界;以及在所述开放体积中交替地沉积第一材料和第二材料。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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