[发明专利]用于制备平面光学元件的方法和获得的元件无效
申请号: | 200980119368.7 | 申请日: | 2009-03-25 |
公开(公告)号: | CN102046547A | 公开(公告)日: | 2011-05-04 |
发明(设计)人: | J·塞利耶;A·于尼亚尔;X·布拉热 | 申请(专利权)人: | 法国圣戈班玻璃厂 |
主分类号: | C03C3/078 | 分类号: | C03C3/078;C03C8/02;C03C8/04;C03C8/16;C03C8/18;C03C21/00 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 黄念;林森 |
地址: | 法国*** | 国省代码: | 法国;FR |
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摘要: | 根据本发明的方法基于两种特别地具有相同迁移性的离子与基材玻璃的离子,前述两种离子的至少一种以搪瓷形式进行使用。根据第一种实施方案,该方法包括以下步骤:a)在包含第一种离子的玻璃基材表面上以图案或者图案网络形式沉积搪瓷组合物,该组合物包含第二种选自Ag、Tl、Ba或者Cu离子或者其前体的离子;b)使基材温度升高至足以烧制该搪瓷;c)将基材浸入包含第三种具有几乎等于第二离子的迁移性的离子的熔融盐中;d)穿过该浸入的基材施加电场以使得来源于搪瓷的第二种离子和来源于熔融盐的第三种离子同时地替换在基材中的第一种离子;e)从该熔融盐中取出基材;和f)除去搪瓷。 | ||
搜索关键词: | 用于 制备 平面 光学 元件 方法 获得 | ||
【主权项】:
制备平面光学元件,特别是GRIN透镜的方法,其包括以下步骤:a)在包含第一种离子的玻璃基材表面上以图案或者图案网络形式沉积搪瓷组合物,该组合物包含第二种选自Ag、Tl、Ba或者Cu离子或者它们的前体的离子;b)使基材升高至足够温度以烧制该搪瓷;c)将基材浸入在包含第三种具有几乎等于第二离子的迁移性的离子的熔融盐中;d)穿过该浸入的基材施加电场以使得来源于搪瓷的第二种离子和来源于熔融盐的第三种离子同时地替换在基材中的第一种离子;e)从该熔融盐中取出基材;和f)除去搪瓷。
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