[发明专利]用于制备平面光学元件的方法和获得的元件无效

专利信息
申请号: 200980119368.7 申请日: 2009-03-25
公开(公告)号: CN102046547A 公开(公告)日: 2011-05-04
发明(设计)人: J·塞利耶;A·于尼亚尔;X·布拉热 申请(专利权)人: 法国圣戈班玻璃厂
主分类号: C03C3/078 分类号: C03C3/078;C03C8/02;C03C8/04;C03C8/16;C03C8/18;C03C21/00
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 72001 代理人: 黄念;林森
地址: 法国*** 国省代码: 法国;FR
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 根据本发明的方法基于两种特别地具有相同迁移性的离子与基材玻璃的离子,前述两种离子的至少一种以搪瓷形式进行使用。根据第一种实施方案,该方法包括以下步骤:a)在包含第一种离子的玻璃基材表面上以图案或者图案网络形式沉积搪瓷组合物,该组合物包含第二种选自Ag、Tl、Ba或者Cu离子或者其前体的离子;b)使基材温度升高至足以烧制该搪瓷;c)将基材浸入包含第三种具有几乎等于第二离子的迁移性的离子的熔融盐中;d)穿过该浸入的基材施加电场以使得来源于搪瓷的第二种离子和来源于熔融盐的第三种离子同时地替换在基材中的第一种离子;e)从该熔融盐中取出基材;和f)除去搪瓷。
搜索关键词: 用于 制备 平面 光学 元件 方法 获得
【主权项】:
制备平面光学元件,特别是GRIN透镜的方法,其包括以下步骤:a)在包含第一种离子的玻璃基材表面上以图案或者图案网络形式沉积搪瓷组合物,该组合物包含第二种选自Ag、Tl、Ba或者Cu离子或者它们的前体的离子;b)使基材升高至足够温度以烧制该搪瓷;c)将基材浸入在包含第三种具有几乎等于第二离子的迁移性的离子的熔融盐中;d)穿过该浸入的基材施加电场以使得来源于搪瓷的第二种离子和来源于熔融盐的第三种离子同时地替换在基材中的第一种离子;e)从该熔融盐中取出基材;和f)除去搪瓷。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于法国圣戈班玻璃厂,未经法国圣戈班玻璃厂许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/200980119368.7/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top