[发明专利]传感器及其制造方法无效
| 申请号： | 200980117704.4 | 申请日： | 2009-05-13 |
| 公开（公告）号： | CN102027357A | 公开（公告）日： | 2011-04-20 |
| 发明（设计）人： | 山林智明;高桥理;近藤胜则;菊地洋明 | 申请（专利权）人： | 三美电机株式会社 |
| 主分类号： | G01N27/414 | 分类号： | G01N27/414 |
| 代理公司： | 北京鸿元知识产权代理有限公司 11327 | 代理人： | 陈英俊 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种减少通道的形状、反应场的面积及位置的限制而使测定灵敏度及布局的自由度高的传感器及其制造方法。传感器(10)包括：源电极(15)、漏电极(14)及栅电极(13)，配置在氧化硅膜(12a、12b)上；通道(16)，配置在氧化硅膜(12a、12b)上，且与源电极15及漏电极14电连接；以及反应场(20)，配置在氧化硅膜(12a、12b)上；而且，在与通道(16)不同的氧化硅膜(12a)上形成反应场(20)。通过所述结构，能够分别独立地选择通道(16)的形状及反应场(20)的面积。其结果能够实现测定灵敏度及布局的自由度高的传感器(10)。 | ||
| 搜索关键词： | 传感器 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种传感器，其特征在于，包括：硅基板，具有氧化硅膜；源电极、漏电极及栅电极，配置在所述氧化硅膜上；通道，由多晶硅或者非晶硅构成，配置在所述氧化硅膜上，且与所述源电极及漏电极电连接；以及反应场，配置在所述氧化硅膜上。
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