[发明专利]一种单晶太阳能电池的制造方法有效
申请号: | 200980116340.8 | 申请日: | 2009-05-05 |
公开(公告)号: | CN102067322A | 公开(公告)日: | 2011-05-18 |
发明(设计)人: | H-J·克罗科辛斯基;K·迈尔 | 申请(专利权)人: | 罗伯特.博世有限公司 |
主分类号: | H01L31/0224 | 分类号: | H01L31/0224 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 李少丹;李家麟 |
地址: | 德国斯*** | 国省代码: | 德国;DE |
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摘要: | 本发明涉及一种用于制造具有钝化的背面且具有背面接触结构的单晶太阳能电池的方法,包括以下步骤:在电池背面上整面地施加一层钝化介质层;局部去除汇流条和局部接触点区域内的钝化层;均匀涂覆电池背面以形成非结构化的薄金属层,该薄金属层在去除了钝化层的区域内接触衬底材料表面;由导电浆料在汇流条和局部接触点区域内形成厚层;在高于规定的共晶温度的温度下烧结厚层,从而在薄金属层与衬底材料表面以及与厚层浆料的导电颗粒之间形成共晶低欧姆连接。 | ||
搜索关键词: | 一种 太阳能电池 制造 方法 | ||
【主权项】:
一种用于制造具有钝化的背面和背面接触结构的单晶太阳能电池的方法,包括以下步骤:‑在电池背面整面地施加钝化介质层;‑局部地去除在汇流条和局部接触部区域中的钝化层;‑均匀地涂覆电池背面以形成非结构化的薄金属层,该薄金属层在去除了钝化层的区域中接触衬底材料表面;‑由导电浆料在汇流条和局部接触部区域中生成厚层,以及‑在高于规定的共晶温度的温度下烧结所述厚层,并且在薄金属层与衬底材料表面以及与厚层浆料的导电颗粒之间形成共晶的低欧姆连接。
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H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
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