[发明专利]发光器件和制造发光器件的方法有效
| 申请号： | 200980115885.7 | 申请日： | 2009-05-04 |
| 公开（公告）号： | CN102017203A | 公开（公告）日： | 2011-04-13 |
| 发明（设计）人： | 宋俊午 | 申请（专利权）人： | LG伊诺特有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 王伟;安翔 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 根据本发明的实施例，发光器件包括：支撑基板；支撑基板上的晶圆结合层；晶圆结合层上的电流扩展层；电流扩展层上的第二导电半导体层；第二导电半导体层上的有源层；有源层上的第一导电半导体层；第一导电半导体层上的表面改性层；以及表面改性层上的第一电极层。 | ||
| 搜索关键词： | 发光 器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种发光器件，包括：支撑基板；位于所述支撑基板上的晶圆结合层；位于所述晶圆结合层上的电流扩展层；位于所述电流扩展层上的第二导电半导体层；位于所述第二导电半导体层上的有源层；位于所述有源层上的第一导电半导体层；位于所述第一导电半导体层上的表面改性层；以及位于所述表面改性层上的第一电极层。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于LG伊诺特有限公司，未经LG伊诺特有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200980115885.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
