[发明专利]光学活性的羟腈化合物的制造方法

摘要

本发明提供式(3)所示的光学活性的羟腈化合物的制造方法，其特征在于，在使式(1)所示的光学活性的吡啶化合物和卤化铝发生反应而得到的不对称络合物和甲硅烷基化合物的存在下，使式(2)所示的醛化合物与氰化氢发生反应，(式中，R¹和R²相互独立，表示氢原子、碳原子数1～6的烷基、碳原子数6～10的芳基或碳原子数7～11的芳烷基。其中，R¹和R²不相同。)(式中，Q¹和Q²相互独立，表示氢原子、可以具有取代基的碳原子数1～6的烷基等。)(式中，Q¹和Q²表示的意义与上述相同，*表示该碳原子是光学活性中心。)。

主权项

1.一种式(3)所示的光学活性的羟腈化合物的制造方法，其特征在于，在使式(1)所示的光学活性的吡啶化合物和卤化铝发生反应而得到的不对称络合物和甲硅烷基化合物的存在下，使式(2)所示的醛化合物与氰化氢发生反应，式中，R¹和R²相互独立，表示氢原子、碳原子数1～6的烷基、碳原子数6～10的芳基或碳原子数7～11的芳烷基，其中，R¹和R²不相同，式中，Q¹和Q²相互独立，表示氢原子、可以具有取代基的碳原子数1～6的烷基、可以具有取代基的碳原子数1～4的烷氧基、碳原子数2～8的酰氧基、可以具有取代基的碳原子数1～4的烷基磺酰氧基、可以具有取代基的苯磺酰氧基、碳原子数1～10的三烷基甲硅烷基氧基或者可以具有取代基的碳原子数6～10的芳氧基，式中，Q¹和Q²表示的意义与上述相同，*表示该碳原子是光学活性中心。