[发明专利]导电性高分子的图案形成方法无效
| 申请号： | 200980112820.7 | 申请日： | 2009-07-23 |
| 公开（公告）号： | CN101999097A | 公开（公告）日： | 2011-03-30 |
| 发明（设计）人： | 田口裕务 | 申请（专利权）人： | 东亚合成株式会社;鹤见曹达株式会社 |
| 主分类号： | G03F7/32 | 分类号： | G03F7/32;G03F7/023;H01B13/00 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 李帆 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明为形成导电层的方法，该导电层为通过在基体表面图案化而配置成的包含导电性高分子的导电层，该方法特征在于，使用包含重氮萘醌及酚醛清漆树脂的正型光致抗蚀剂组合物，并且，用钾离子浓度为0.08～0.20mol/L、共存的钠离子浓度小于0.1mol/L的显影液将使用该光致抗蚀剂组合物得到的抗蚀剂膜显影。 | ||
| 搜索关键词： | 导电性 高分子 图案 形成 方法 | ||
【主权项】：
导电性高分子的图案形成方法，其特征在于，使用包含重氮萘醌化合物及酚醛清漆树脂的正型光致抗蚀剂组合物，并且，用钾离子浓度为0.08mol/L～0.20mol/L、共存的钠离子浓度小于0.1mol/L的显影液将使用该正型光致抗蚀剂组合物得到的抗蚀剂膜显影。
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