[发明专利]导电性高分子的图案形成方法

权利要求书

1.导电性高分子的图案形成方法，其特征在于，使用包含重氮萘醌化合物及酚醛清漆树脂的正型光致抗蚀剂组合物，并且，用钾离子浓度为0.08mol/L～0.20mol/L、共存的钠离子浓度小于0.1mol/L的显影液将使用该正型光致抗蚀剂组合物得到的抗蚀剂膜显影。

2.如权利要求1所述的导电性高分子的图案形成方法，其依次具有：

导电层形成工序，其中在所述基体的表面使用包含所述导电性高分子的导电层形成用组合物以形成导电层；

膜形成工序，其中在所述导电层的表面涂布所述正型光致抗蚀剂组合物以形成正型光致抗蚀剂膜；

预烘烤工序，其中加热所述正型光致抗蚀剂膜；

曝光通过所述预烘烤工序得到的抗蚀剂膜的工序，其为在该抗蚀剂膜的表面中，使配置于所述导电层表面的所述抗蚀剂膜的至少一部分表面不曝光的曝光工序；

显影工序，其中用所述显影液除去所述曝光工序中的曝光部分使导电层露出；

除去导电层部分工序，其中除去露出的导电层部分；

除去抗蚀剂膜部分工序，其中除去残留的抗蚀剂膜部分。

3.如权利要求1或2所述的导电性高分子的图案形成方法，其中，所述正型光致抗蚀剂组合物包含重氮萘醌化合物、酚醛清漆树脂及聚乙烯基甲基醚。

4.如权利要求3所述的导电性高分子的图案形成方法，其中，在所述正型光致抗蚀剂组合物中，由所述酚醛清漆树脂的软化点A(℃)及其含量B(质量份)和聚乙烯基甲基醚的玻璃化转变温度C(℃)及其含量D(质量份)，用下式(1)算出的计算值E(℃)为60℃～110℃，

B/{100×(273+A)}+D/{100×(273+C)}＝1/(273+E)…(1)

其中，B+D＝100。

5.如权利要求1～4任一项所述的导电性高分子的图案形成方法，其中，所述导电性高分子为聚噻吩或聚吡咯。

6.如权利要求5所述的导电性高分子的图案形成方法，其中，所述聚噻吩为聚(3，4一亚乙基二氧噻吩)。

7.如权利要求1～6任一项所述的导电性高分子的图案形成方法，其中，所述显影液包含选自聚氧乙烯烷基醚及碱土类金属卤化物中的至少一种。

8.如权利要求1～7任一项所述的导电性高分子的图案形成方法，其中，所述导电层形成用组合物包含在大气压下沸点为100℃以上的有机溶剂。

9.具有导电性高分子图案的基板，其特征在于，使用如权利要求1～8任一项所述的导电性高分子的图案形成方法得到。