[发明专利]苊并吡啶衍生物，发光元件的材料，发光元件，发光器件和电子器具有效
| 申请号： | 200980111812.0 | 申请日： | 2009-03-24 |
| 公开（公告）号： | CN101981024A | 公开（公告）日： | 2011-02-23 |
| 发明（设计）人： | 高须贵子;野村亮二;下垣智子;濑尾哲史 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | C07D401/04 | 分类号： | C07D401/04;C09K11/06;H01L51/50 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 项丹;周承泽 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： |
本发明目的是提供一种适合于发光元件的电子输运层的新颖化合物。具体地，本发明的目的是提供一种能用于形成在低驱动电压下发光的发光元件的化合物。提供通式(G1)表示的苊并吡啶衍生物。在该通式中，Het表示吡啶基或喹啉基。 |
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| 搜索关键词： | 吡啶 衍生物 发光 元件 材料 器件 电子 器具 | ||
【主权项】：
1.一种由以下通式(G1)表示的苊并吡啶衍生物，![]()
其中，该通式中Het表示吡啶基团或喹啉基团。
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