[发明专利]薄膜太阳能电池中改进的背接触无效
| 申请号： | 200980109234.7 | 申请日： | 2009-03-13 |
| 公开（公告）号： | CN101978101A | 公开（公告）日： | 2011-02-16 |
| 发明（设计）人： | C·霍茨;P·保尔森;C·雷德霍尔姆;D·雷迪 | 申请（专利权）人： | 索莱克山特公司 |
| 主分类号： | C25D7/12 | 分类号： | C25D7/12;H01L31/00 |
| 代理公司： | 北京戈程知识产权代理有限公司 11314 | 代理人： | 程伟;龚颐雯 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明公开了具有基板结构的薄膜光伏器件，其包括II-VI族半导体层，且在背电极与吸收体层之间具有能够在器件中产生欧姆接触的界面层。本发明公开了具有覆板结构的薄膜光伏器件，其包括II-VI族半导体层，且在背电极与吸收体层之间具有能够在器件中产生欧姆接触的界面层，其中所述界面层包含纳米颗粒或烧结的纳米颗粒。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜 太阳能电池 改进 接触 | ||
【主权项】：
具有基板结构的光伏器件，其包括：基板，所述基板为透明或不透明的，金属电极层，透明导体层，吸收体层，所述吸收体层包含II‑VI族半导体化合物，窗口层，以及界面层，其中所述界面层位于所述金属电极层与所述吸收体层之间，使得在所述金属电极层与所述吸收体层之间产生欧姆接触。
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