[实用新型]低氧控制系统无效
| 申请号： | 200920291818.8 | 申请日： | 2009-12-31 |
| 公开（公告）号： | CN201623010U | 公开（公告）日： | 2010-11-03 |
| 发明（设计）人： | 林松;赵星梅;钟华 | 申请（专利权）人： | 北京七星华创电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00 |
| 代理公司： | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人： | 胡小永 |
| 地址： | 100016 *** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本实用新型涉及半导体生产装置领域。本实用新型的一种低氧控制系统，包括依次连接的氮气输送装置、循环风机和处理腔室，其中，所述处理腔室外部还连接有循环管路和氧气分析仪，所述氧气分析仪的另一入口端与氮气输送装置连接，所述循环风机上还安装有换气阀门。本实用新型低氧控制系统，能控制相对空间(即微环境)中的氧气浓度，从而有效控制晶片的自然氧化状况。 | ||
| 搜索关键词： | 低氧 控制系统 | ||
【主权项】：
一种低氧控制系统，包括依次连接的氮气输送装置、循环风机和处理腔室，其特征在于，所述处理腔室外部还连接有循环管路和氧气分析仪，所述氧气分析仪的一入口端与氮气输送装置连接，所述循环风机上还安装有换气阀门。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北京七星华创电子股份有限公司，未经北京七星华创电子股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200920291818.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
