[实用新型]一种自偏振电光调Q晶体

摘要

本实用新型公开了一种自偏振电光调Q晶体，包括第一、第二通光面，其中第一通光面垂直于晶体的光轴方向，其特征在于：第二通光面为切割而成，且与第一通光面的夹角等于α或90°-α，其中，α＝90°-arctg(n)，n为晶体的折射率。本实用新型将电光晶体按照一定的角度进行切割，切割平面与晶体的某些面夹角α满足晶体布儒斯特角的余角的条件，保证横向半波电压可有效关断腔内光路，此时电光晶体也起到检偏镜的作用。通光面和切割出的平面镀有相应激光波长的增透膜。本实用新型适用于横向电光调Q晶体，如BBO、RTP、LN等。在实际应用中可以起到将电光调Q晶体和布儒斯特镜合二为一的作用。

主权项

一种自偏振电光调Q晶体，包括第一、第二通光面，其中第一通光面垂直于晶体的光轴方向，其特征在于：第二通光面为切割面，该切割面镀有增透膜层，第二通光面与第一通光面的夹角等于α或90°-α，其中，α＝90°-arctg(n)，n为晶体的折射率。