[实用新型]一种太阳电池片无效
申请号: | 200920170396.9 | 申请日: | 2009-08-19 |
公开(公告)号: | CN201508847U | 公开(公告)日: | 2010-06-16 |
发明(设计)人: | 许成木 | 申请(专利权)人: | 许成木 |
主分类号: | H01L31/05 | 分类号: | H01L31/05;H01L31/0224 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 650092 云南省*** | 国省代码: | 云南;53 |
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摘要: | 一种上表面电极覆盖率极小,能提高转换效率的太阳电池片。在半导体晶片上钻一系列垂直于晶片表面的细孔,半导体晶片顶层的电极引线通过垂直于晶片表面的对应细孔与设置于半导体晶片底部的顶层汇流电极连接。细孔内的电极引线与P-N结、半导体晶片底层之间设置有绝缘隔离层或圆管状P-N结隔离层,从而避免细孔内的电极引线与半导体晶片底层短路。顶层汇流电极与半导体晶片底层之间设置绝缘隔离层。由于细孔内的电极引线横截面面积很小,具有很低的表面覆盖率,而且还具有较高的纵深比,能够更好地吸收载流子,因此可以有效地提高太阳电池的转换效率。 | ||
搜索关键词: | 一种 太阳电池 | ||
【主权项】:
一种太阳电池片,包括单P-N结半导体晶片、底层电极、顶层电极和减反层,其特征是:从半导体晶片顶层引出的多个电极引线通过垂直于半导体晶片表面的对应细孔与设置于半导体晶片底部的顶层汇流电极连接。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的