[实用新型]用磁控溅射法生产CdS/CdTe太阳能电池的装置无效
申请号: | 200920169304.5 | 申请日: | 2009-08-21 |
公开(公告)号: | CN201590428U | 公开(公告)日: | 2010-09-22 |
发明(设计)人: | 侯仁义 | 申请(专利权)人: | 成都中光电阿波罗太阳能有限公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18 |
代理公司: | 成都科海专利事务有限责任公司 51202 | 代理人: | 邓继轩 |
地址: | 610207 四川省成都市双*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | 本实用新型公开了用磁控溅射法生产CdS/CdTe太阳能电池的装置,其特点是该装置由CdS/CdTe的形成装置,CdCl2热处理装置和背电极制作装置组成。CdS/CdTe的形成装置依次由进料仓(1)、CdS镀膜仓(2)、过渡仓(3)、CdTe镀膜仓(4)和出料仓(5)组成;CdCl2热处理装置采用近空间升华法装置将CdCl2镀在CdS/CdTe面上;背电极制作装置与CdS/CdTe形成装置基本相同,只是将CdS镀膜仓换成ZnTe镀膜仓,CdTe镀膜仓换成Ni镀膜仓。然后采用磁控溅射法将CdS、CdTe、CdCl2、ZnTe:Cu和Ni分别溅射到经清洗激光刻的导电玻璃工件上,用超声焊机焊上引出电极,用UV胶在电池背面涂覆约200~500μm厚的胶膜,经UV干燥机干燥后形成完整的太阳能电池。 | ||
搜索关键词: | 磁控溅射 生产 cds cdte 太阳能电池 装置 | ||
【主权项】:
用磁控溅射法生产CdS/CdTe太阳能电池的装置,其特征在于该装置由CdS/CdTe的形成装置,CdCl2热处理装置和背电极制作装置组成:(1)CdS/CdTe的形成装置CdS/CdTe的形成装置由进料仓(1)、CdS镀膜仓(2)、过渡仓(3)、CdTe镀膜仓(4)和出料仓(5)组成,进料仓(1)内设加热器(9)和输送系统(6),输送系统通过CdS镀膜仓(2)、过渡仓(3)、CdTe镀膜仓(4)和出料仓(5)构成循环系统;仓与仓之间设隔离门(15),进料仓外分别与真空系统(8)、氩气系统(10)和控制系统(12)连接;CdS镀膜仓(2)内设CdS靶头(13),靶头一端与冷却水进口及靶头电源(17)连接,靶头另一端与冷却水出口(18)连接;输送系统(6)上放置工件夹具(20),工件夹具固定工件(7),CdS镀膜仓的前、后设真空门(19),真空门与CdS镀膜仓的连接处设密封圈(16),CdS镀膜仓外分别与真空系统、氩气系统和控制系统连接;过渡仓(3)内设送输送系统,过渡工件,过渡仓外分别与真空系统、氩气系统和控制系统连接;CdTe镀膜仓(4)内设CdTe靶头(14),其余部分设置和连接同CdS镀膜仓(2);出料仓(5)的设置和连接同过渡仓(3),全部仓位由支架(11)支撑;(2)CdCl2热处理装置将上述装置形成的CdS/CdTe膜的工件用激光刻第二条线后进入CdCl2热处理装置,再用近空间升华法装置将CdCl2镀在CdS/CdTe面上;(3)背电极制作装置背电极制作装置由进料仓(1)、ZnTe镀膜仓(2)、过渡仓(3)、Ni镀膜仓(4)和出料仓(5)组成,它与CdS/CdTe的形成装置基本相同,进料仓(1)的设置和连接同CdS/CdTe的形成装置的进料仓,ZnTe镀膜仓(2)的设置和连接同CdS镀膜仓、过渡仓的设置和连接同CdS/CdTe的形成装置的过渡仓,Ni镀膜仓(4)的设置和连接同CdTe镀膜仓、出料仓(5)的设置和连接同CdS/CdTe的形成装置的出料仓;采用磁控溅射法将CdS、CdTe、CdCl2、ZnTe:Cu和Ni分别溅射到经清洗激光刻的导电玻璃工件上,用超声焊机焊上引出电极,用UV胶在电池背面涂覆约200~500μm厚的胶膜,经UV干燥机干燥后形成完整的太阳能电池。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
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H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的