[实用新型]一种非对称快速晶闸管无效
| 申请号： | 200920086843.2 | 申请日： | 2009-06-24 |
| 公开（公告）号： | CN201430142Y | 公开（公告）日： | 2010-03-24 |
| 发明（设计）人： | 颜家圣;吴拥军;张桥;杨成标;刘小俐;刘鹏;肖彦 | 申请（专利权）人： | 湖北台基半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/74 | 分类号： | H01L29/74;H01L29/38 |
| 代理公司： | 襄樊嘉琛知识产权事务所 | 代理人： | 严崇姚 |
| 地址： | 441021湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本实用新型的名称为一种非对称快速晶闸管。属于功率半导体器件技术领域。它主要是解决现有快速晶闸管在应用于串联逆变时，存在压降大和动态特性较差等问题。它的主要特征是包括管壳和封装在该管壳内的PNPN四层三端结构的半导体芯片；半导体芯片的P1阳极区1的结深是阴极端P2区3结深的20～70％，P1阳极区1中设有P+高浓度区8。本实用新型具有在应用于串联逆变时，能明显降低通态压降，从而改善通态能力和提高工作可靠性，同时可更优化内部结构，降低大注入的储存电荷，改善恢复软度的特点，主要用于大功率串联逆变电源装置。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 对称 快速 晶闸管 | ||
【主权项】：
1、一种非对称快速晶闸管，包括管壳和封装在该管壳内的PNPN四层三端结构的半导体芯片，其特征是：所述的半导体芯片的P1阳极区(1)的结深是阴极端P2区(3)结深的20～70％，P1阳极区(1)中设有P+高浓度区(8)。
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