[实用新型]半导体器件强化测试片有效
| 申请号： | 200920080940.0 | 申请日： | 2009-05-18 |
| 公开（公告）号： | CN201464498U | 公开（公告）日： | 2010-05-12 |
| 发明（设计）人： | 王跃;赵小东;邵鹏 | 申请（专利权）人： | 乐山-菲尼克斯半导体有限公司 |
| 主分类号： | G01R1/02 | 分类号： | G01R1/02 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 614000 四川*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种半导体器件强化测试片，属于半导体器件测试技术领域。它包括基材、中间层和测试层，测试层表面局部设有强化层。本实用新型耐磨性好，完全可以达到传统测试片的硬度，综合性能超过现有镀金片的各项性能指标，极大地降低了测试片的使用成本。适合作为半导体器件电参数测试中测试片使用。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 强化 测试 | ||
【主权项】：
一种半导体器件强化测试片，包括基材(1)、中间层(2)和测试层(3)，其特征在于，测试层(3)表面局部设有强化层(4)。
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