[实用新型]半导体器件强化测试片有效
| 申请号： | 200920080940.0 | 申请日： | 2009-05-18 |
| 公开（公告）号： | CN201464498U | 公开（公告）日： | 2010-05-12 |
| 发明（设计）人： | 王跃;赵小东;邵鹏 | 申请（专利权）人： | 乐山-菲尼克斯半导体有限公司 |
| 主分类号： | G01R1/02 | 分类号： | G01R1/02 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 614000 四川*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体器件 强化 测试 | ||
【权利要求书】：
1.一种半导体器件强化测试片，包括基材(1)、中间层(2)和测试层(3)，其特征在于，测试层(3)表面局部设有强化层(4)。
2.根据权利要求1所述的半导体器件强化测试片，其特征在于，所述的强化层(4)为铁-锡合金层。
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