[发明专利]一种中空阴极溅射离子镀装置无效
| 申请号： | 200910272734.4 | 申请日： | 2009-11-10 |
| 公开（公告）号： | CN101876062A | 公开（公告）日： | 2010-11-03 |
| 发明（设计）人： | 杨兵;丁辉 | 申请（专利权）人： | 武汉大学 |
| 主分类号： | C23C14/34 | 分类号： | C23C14/34;C23C14/35 |
| 代理公司： | 武汉天力专利事务所 42208 | 代理人： | 程祥;冯卫平 |
| 地址： | 430072*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明涉及中空阴极磁控溅射离子镀涂层装置，包括真空室，真空室设有抽真空口，真空室内设有阴极电弧靶和工件架，所述真空室为空心圆柱形且与地绝缘，真空室内壁装上靶材，与溅射电源负极连接，形成中空阴极溅射靶；真空室中心设有柱状电弧靶，工件架位于圆柱形中空阴极电弧靶和柱状电弧靶所围成的区域。本发明由于采用上述结构，使得炉壁上中空阴极磁控靶和中心大功率旋转电弧靶工作时运行稳定。等离子体分布均匀，从而提高镀膜效率和离子镀效果，降低镀膜成本，提高涂层均匀性，使得镀膜过程更易于控制。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 中空 阴极 溅射 离子镀 装置 | ||
【主权项】：
一种中空阴极溅射离子镀装置，包括真空室，真空室设有抽真空口，真空室内设有阴极电弧靶和工件架，其特征在于：所述真空室为空心圆柱形且与地绝缘，真空室内壁装上靶材，与溅射电源负极连接，形成中空阴极溅射靶；真空室中心设有柱状电弧靶，工件架位于圆柱形中空阴极电弧靶和柱状电弧靶所围成的区域。
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