[发明专利]发光二极管晶片分选方法有效

专利信息
申请号: 200910262472.3 申请日: 2009-12-18
公开(公告)号: CN102101112A 公开(公告)日: 2011-06-22
发明(设计)人: 蔡振扬;欧升明;李建德;陈建发 申请(专利权)人: 旺矽科技股份有限公司
主分类号: B07C5/34 分类号: B07C5/34
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人: 周国城
地址: 中国台*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要: 发明公开了一种发光二极管晶片分选方法,是利用晶片独具的特征晶粒以产生一特征晶粒坐标,接着以一点测设备对晶片进行探测并建立一晶粒分布晶片地图,尔后于分选过程中,加入特征晶粒坐标的特征晶粒位置与晶粒分布晶片地图的空穴位置比对,以求确认晶粒分选是否正确;或于晶粒分布晶片地图产生之后,再进行晶片扫描并产生一晶片晶粒坐标与该特征晶粒坐标进行比对,其同样可收到提高晶粒分选正确性与减少错误产生之效。
搜索关键词: 发光二极管 晶片 分选 方法
【主权项】:
一种发光二极管晶片分选方法,包含下列步骤:产生一特征晶粒坐标与一晶粒分布晶片地图,该晶粒分布晶片地图记录有特征晶粒的位置,并以一特殊标记表示特征晶粒位置;利用一分选设备接收该晶粒分布晶片地图与该晶片,且其一影像辨识器依该晶粒分布晶片地图的数据寻找各晶粒位置,在该影像辨识器的可预视范围内涵盖特征晶粒时,读入该特征晶粒坐标并与该晶粒分布晶片地图进行比对,若视觉辨识为特殊标记,则确认特征晶粒的实际位置与该晶粒分布晶片地图所记录特征晶粒的位置吻合。
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