[发明专利]宽范围磁性传感器及其制造方法有效
| 申请号： | 200910258485.3 | 申请日： | 2009-12-03 |
| 公开（公告）号： | CN101915899A | 公开（公告）日： | 2010-12-15 |
| 发明（设计）人： | C·里瓦;M·莫雷利;M·马彻西 | 申请（专利权）人： | 意法半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | G01R33/07 | 分类号： | G01R33/07 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 王岳;李家麟 |
| 地址： | 意大利*** | 国省代码： | 意大利;IT |
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| 摘要： | 本发明涉及宽范围磁性传感器及其制造方法。一种磁性传感器由集成在同一集成设备中的磁通门传感器和至少一个霍尔传感器形成，其中磁通门传感器的磁芯由磁性区域形成，该磁性区域也操作为用于霍尔传感器的集中器。磁性区域在后置加工阶段中制造在金属化层上，其中磁通门传感器的激励线圈和感测线圈被形成；激励和感测线圈形成在容纳霍尔传感器的导电区域的半导体衬底上。 | ||
| 搜索关键词： | 范围 磁性 传感器 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种磁性传感器，包括磁通门传感器(11)和霍尔传感器(12)，其特征在于所述磁通门传感器(11)形成在绝缘层(20)中，所述绝缘层覆盖在容纳霍尔传感器(12)的半导体材料的本体(14)上，所述磁通门传感器与所述霍尔传感器垂直地对齐并且集成在同一芯片(100)中。
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