[发明专利]一种铝基柔性电磁屏蔽复合材料的制备工艺无效
| 申请号： | 200910256024.2 | 申请日： | 2009-12-21 |
| 公开（公告）号： | CN101717918A | 公开（公告）日： | 2010-06-02 |
| 发明（设计）人： | 牛玉超;李海凤;苏超 | 申请（专利权）人： | 山东建筑大学 |
| 主分类号： | C23C14/34 | 分类号： | C23C14/34;C23C14/02;C23C14/14 |
| 代理公司： | 济南圣达专利商标事务所有限公司 37221 | 代理人： | 王立晓 |
| 地址： | 250101 *** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种铝基柔性电磁屏蔽复合材料的制备工艺，该种工艺直接将铝箔卷辊装入真空溅射镀膜室进行离子轰击溅射去除基体表面的氧化膜，再在基体上溅射沉积Fe78Si9B13或Fe73.5Nb3Cu1Si13.5B9合金形成纳米晶膜，最后在纳米晶合金膜上溅射沉积铜膜或铝膜。本发明制备的复合材料可以达到宽频高效电磁屏蔽效果，采用溅射离子镀膜和溅射镀膜，膜层与基体、膜层与膜层之间结合强度高，且工艺简单，质量稳定，整个工艺没有涉及化学溶液和有害气体，杜绝了废水、废气污染，为绿色环保生产。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 柔性 电磁 屏蔽 复合材料 制备 工艺 | ||
【主权项】：
一种铝基柔性电磁屏蔽复合材料的制备工艺，其特征是步骤如下：(1)采用厚度40微米以下的工业轧制成卷的铝箔作为基体，直接将铝箔卷辊装入真空溅射镀膜室；(2)将上述基体在真空室内对铝箔基体两面进行离子轰击溅射，去除基体表面的氧化膜；(3)在上述去除氧化膜的基体上溅射沉积Fe78Si9B13或Fe73.5Nb3Cu1Si13.5B9合金，并形成纳米晶膜；(4)在上述溅射沉积形成的纳米晶合金膜上溅射沉积铜膜或铝膜。
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