[发明专利]一种铝基柔性电磁屏蔽复合材料的制备工艺无效
| 申请号: | 200910256024.2 | 申请日: | 2009-12-21 |
| 公开(公告)号: | CN101717918A | 公开(公告)日: | 2010-06-02 |
| 发明(设计)人: | 牛玉超;李海凤;苏超 | 申请(专利权)人: | 山东建筑大学 |
| 主分类号: | C23C14/34 | 分类号: | C23C14/34;C23C14/02;C23C14/14 |
| 代理公司: | 济南圣达专利商标事务所有限公司 37221 | 代理人: | 王立晓 |
| 地址: | 250101 *** | 国省代码: | 山东;37 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 柔性 电磁 屏蔽 复合材料 制备 工艺 | ||
1.一种铝基柔性电磁屏蔽复合材料的制备工艺,其特征是步骤如下:
(1)采用厚度40微米以下的工业轧制成卷的铝箔作为基体,直接将铝箔卷辊装入真空溅射镀膜室;
(2)将上述基体在真空室内对铝箔基体两面进行离子轰击溅射,去除基体表面的氧化膜;
(3)在上述去除氧化膜的基体上溅射沉积Fe78Si9B13或Fe73.5Nb3Cu1Si13.5B9合金,并形成纳米晶膜;所述的溅射沉积Fe78Si9B13或Fe73.5Nb3Cu1Si13.5B9合金膜细分为两步:以Fe78Si9B13或Fe73.5Nb3Cu1Si13.5B9合金为靶材,首先分别产生基体-棒状阳极和靶-棒状阳极两个辉光放电场,形成溅射离子镀,在步骤(2)去除氧化膜的铝箔基体两个表面上溅射离子镀沉积Fe78Si9B13或Fe73.5Nb3Cu1Si13.5B9合金膜;然后仅使靶-棒状阳极间产生辉光放电,形成单纯溅射镀膜,在前面溅射离子镀的Fe78Si9B13或Fe73.5Nb3Cu1Si13.5B9合金膜上溅射沉积Fe78Si9B13或Fe73.5Nb3Cu1Si13.5B9合金;
(4)在上述溅射沉积形成的纳米晶合金膜上溅射沉积铜膜或铝膜。
2.按照权利要求1所述的一种铝基柔性电磁屏蔽复合材料的制备工艺,其特征是,步骤(2)中所述的离子轰击溅射条件为Ar气压强1-40Pa,在基体与棒状阳极之间施加600-800V直流电压,间距30-100mm,离子轰击溅射0.5-4min,铝箔行进速度控制在0.1-0.4m/min。
3.按照权利要求1所述的一种铝基柔性电磁屏蔽复合材料的制备工艺,其特征是,步骤(3)中所述的溅射沉积Fe78Si9B13或Fe73.5Nb3Cu1Si13.5B9合金的条件为Ar气压强1-40Pa,基体与棒状阳极之间电压600-800V,基体-棒状阳极之间间距40-100mm,靶与棒状阳极之间电压300-600V,靶-基体间距100-200mm,铝箔行进速度在0.1-0.4m/min,基体温度150-280℃。
4.按照权利要求1所述的一种铝基柔性电磁屏蔽复合材料的制备工艺,其特征是,步骤(4)中所述的溅射沉积铜膜或铝膜的条件为以铜或铝为靶材,Ar气压强1-40Pa,靶与棒状阳极之间电压300-600V,基体-棒状阳极之间间距40-100mm,靶-基体间距100-200mm,铝箔行进速度在0.1-0.4m/min,基体温度150-280℃。
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