[发明专利]像素结构和薄膜晶体管阵列基板有效
| 申请号： | 200910248057.2 | 申请日： | 2009-12-29 |
| 公开（公告）号： | CN102109718A | 公开（公告）日： | 2011-06-29 |
| 发明（设计）人： | 夏志强 | 申请（专利权）人： | 上海天马微电子有限公司 |
| 主分类号： | G02F1/1362 | 分类号： | G02F1/1362;G02F1/1368 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 李丽 |
| 地址： | 201201 *** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种像素结构和薄膜晶体管阵列基板，像素结构配置于薄膜晶体管阵列基板上，包括：第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管，第一像素电极和第二像素电极；第一栅极线和第二栅极线，分别连接所述第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管的栅极；第一薄膜晶体管和相邻像素结构的第二薄膜晶体管共用的数据线；还包括遮光部，形成于第一像素电极和/或第二像素电极的边缘。在像素内通过遮光部遮光，所以像素的开口率有很大的提高。 | ||
| 搜索关键词： | 像素 结构 薄膜晶体管 阵列 | ||
【主权项】：
一种像素结构，配置于薄膜晶体管阵列基板上，包括：第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管，第一像素电极和第二像素电极；第一栅极线和第二栅极线，分别连接所述第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管的栅极；第一薄膜晶体管和相邻像素结构的第二薄膜晶体管共用的数据线；其特征在于，还包括遮光部，形成于第一像素电极和/或第二像素电极的边缘。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海天马微电子有限公司，未经上海天马微电子有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200910248057.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：阳图型热敏CTP版材
- 下一篇：内嵌触摸屏液晶显示装置及控制方法
